Celda solar de película delgada orgánica (OPV) con resistencia al calor muy mejorada
Internet
2019-04-29 11:13:14
El Instituto de Química Física de Japón anunció el 24 de septiembre de 2015 que anunció una célula solar orgánica de película delgada (OPV) con una mejora significativa en la resistencia al calor. Se han publicado artículos relacionados en la edición en línea de "ScientificReports" en la revista académica Nature.
OPV es más que silicioCélula solarComo la poca durabilidad, esta es una de las razones de su retraso en el uso práctico. Aunque los elementos de embalaje y similares pueden procesar elementos como los rayos ultravioleta, el agua y el oxígeno que tienen una menor durabilidad, no existe un buen método de tratamiento para la resistencia al calor. La tecnología desarrollada esta vez ha mejorado mucho la resistencia al calor y puede convertirse en un paso importante para acelerar el uso práctico de la OPV. El poder de conversión de energía de los componentes prototipos OPV es de hasta el 9,0%, que es relativamente alto en los ejemplos de producción piloto del instituto.
(a) Los resultados experimentales de la resistencia al calor del elemento OPV desarrollado esta vez. La polilínea roja es un componente del óxido de tungsteno (WOx) seleccionado para HTL, el componente de MoOx se selecciona para HTL y la polilínea negra es el componente del material semiconductor de tipo p. (b) es un esquema de la estructura del componente.
La compañía anunció que la tecnología es la investigadora de alto nivel del Grupo de Desarrollo de la Función Molecular del Instituto de Ciencia y Tecnología del Instituto de Química Física de Japón. La clave para mejorar la resistencia al calor es seleccionar el material de polímero recientemente desarrollado "PTzNTz (tiofeno y tiazolotiazol)" como material semiconductor de tipo p.
Owl y otros seleccionaron este PTzNTz y material semiconductor de tipo n, el inductor de fullereno, como los datos de la capa activa, y prototiparon el componente OPV. Para evaluar la resistencia al calor, el elemento OPV se almacenó en nitrógeno a 85 ° C durante 500 horas.
En la misma evaluación de resistencia al calor, el componente OPV de los datos semiconductores originales de tipo p se reduce a aproximadamente el 40% del valor inicial, y después de 500 horas, la potencia es aproximadamente el 90% del valor inicial, la resistencia al calor. Gran progreso. Además, los datos de la capa de transporte de orificios (HTL) entre el electrodo positivo y la capa activa del elemento OPV se cambiaron de óxido de molibdeno (MoOx) a óxido de tungsteno (WOx), y se llevó a cabo el mismo experimento. En el 8,3%, básicamente no hay disminución.
El componente OPV tiene una potencia de conversión de energía máxima de 9.0%, un voltaje de circuito abierto (VOC) de 0.84 V, una corriente de cortocircuito (JSC) de 16.0 mA y un factor de llenado (FF) de 0.67.
Descargo de responsabilidad: El contenido es en parte de Internet. Para transmitir más información, esto no significa aceptar sus opiniones o confirmar su descripción. El contenido del artículo es solo para referencia. Si hay alguna infracción, por favor póngase en contacto a tiempo.
OPV es más que silicioCélula solarComo la poca durabilidad, esta es una de las razones de su retraso en el uso práctico. Aunque los elementos de embalaje y similares pueden procesar elementos como los rayos ultravioleta, el agua y el oxígeno que tienen una menor durabilidad, no existe un buen método de tratamiento para la resistencia al calor. La tecnología desarrollada esta vez ha mejorado mucho la resistencia al calor y puede convertirse en un paso importante para acelerar el uso práctico de la OPV. El poder de conversión de energía de los componentes prototipos OPV es de hasta el 9,0%, que es relativamente alto en los ejemplos de producción piloto del instituto.
(a) Los resultados experimentales de la resistencia al calor del elemento OPV desarrollado esta vez. La polilínea roja es un componente del óxido de tungsteno (WOx) seleccionado para HTL, el componente de MoOx se selecciona para HTL y la polilínea negra es el componente del material semiconductor de tipo p. (b) es un esquema de la estructura del componente.
La compañía anunció que la tecnología es la investigadora de alto nivel del Grupo de Desarrollo de la Función Molecular del Instituto de Ciencia y Tecnología del Instituto de Química Física de Japón. La clave para mejorar la resistencia al calor es seleccionar el material de polímero recientemente desarrollado "PTzNTz (tiofeno y tiazolotiazol)" como material semiconductor de tipo p.
Owl y otros seleccionaron este PTzNTz y material semiconductor de tipo n, el inductor de fullereno, como los datos de la capa activa, y prototiparon el componente OPV. Para evaluar la resistencia al calor, el elemento OPV se almacenó en nitrógeno a 85 ° C durante 500 horas.
En la misma evaluación de resistencia al calor, el componente OPV de los datos semiconductores originales de tipo p se reduce a aproximadamente el 40% del valor inicial, y después de 500 horas, la potencia es aproximadamente el 90% del valor inicial, la resistencia al calor. Gran progreso. Además, los datos de la capa de transporte de orificios (HTL) entre el electrodo positivo y la capa activa del elemento OPV se cambiaron de óxido de molibdeno (MoOx) a óxido de tungsteno (WOx), y se llevó a cabo el mismo experimento. En el 8,3%, básicamente no hay disminución.
El componente OPV tiene una potencia de conversión de energía máxima de 9.0%, un voltaje de circuito abierto (VOC) de 0.84 V, una corriente de cortocircuito (JSC) de 16.0 mA y un factor de llenado (FF) de 0.67.
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