Cellule solaire à couche mince organique (OPV) avec une résistance à la chaleur grandement améliorée
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2019-04-29 11:13:14
Le 24 septembre 2015, l'Institut japonais de chimie physique a annoncé qu'il avait annoncé une cellule solaire à couche mince organique (OPV) offrant une amélioration significative de la résistance thermique. Des articles connexes ont été publiés dans l'édition en ligne de "ScientificReports" dans la revue universitaire Nature.
Le VPO est plus que du siliciumCellule solaireTelles que la faible durabilité, c'est l'une des raisons de son retard dans l'utilisation pratique. Bien que des éléments tels que les rayons ultraviolets, l'eau et l'oxygène, dont la durabilité est réduite, puissent être traités, il n'existe pas de méthode de traitement efficace pour la résistance à la chaleur. La technologie mise au point cette fois a considérablement amélioré la résistance à la chaleur et pourrait devenir une étape importante pour accélérer l’utilisation pratique du VPO. Le pouvoir de conversion énergétique des composants prototypes de VPO peut atteindre 9,0%, ce qui est relativement élevé dans les exemples de production pilote de l'institut.
(a) Les résultats expérimentaux de la résistance à la chaleur de l'élément OPV développé cette fois. La polyligne rouge est un composant d'oxyde de tungstène (WOx) sélectionné pour HTL, le composant de MoOx est sélectionné pour HTL et la polyligne noire est le composant d'un matériau semi-conducteur de type p. (b) est un aperçu de la structure du composant.
La société a annoncé que cette technologie était le chercheur haut de gamme du groupe de développement des fonctions moléculaires de l’Institut des sciences et de la technologie de l’Institut de chimie physique du Japon. Pour améliorer la résistance à la chaleur, il est essentiel de choisir le matériau polymère "PTzNTz (thiophène et thiazolothiazole)" récemment mis au point comme matériau semi-conducteur de type p.
Owl et ses collaborateurs ont choisi ce matériau semi-conducteur de type PTzNTz et de type n, l'inducteur de fullerène, comme données de couche active, et ont prototypé le composant OPV. Pour évaluer la résistance à la chaleur, l'élément de VPO a été stocké dans de l'azote à 85 ° C pendant 500 heures.
Dans la même évaluation de la résistance thermique, le composant OPV des données d'origine du semi-conducteur de type p est réduit à environ 40% de la valeur initiale et, au bout de 500 heures, la puissance correspond à environ 90% de la valeur initiale, résistance à la chaleur. Grand progrès. De plus, les données de la couche de transport de trous (HTL) entre l'électrode positive et la couche active de l'élément OPV ont été changées d'oxyde de molybdène (MoOx) en oxyde de tungstène (WOx) et la même expérience a été réalisée. À 8,3%, il n’ya pratiquement pas de baisse.
Le composant OPV a une puissance de conversion d'énergie maximale de 9,0%, une tension de circuit ouvert (VOC) de 0,84 V, un courant de court-circuit (JSC) de 16,0 mA et un facteur de remplissage (FF) de 0,67.
Avertissement: le contenu provient en partie d'Internet. Pour transmettre plus d'informations, cela ne signifie pas qu'il faut accepter ses points de vue ou confirmer sa description. Le contenu de l'article est pour référence seulement. En cas d'infraction, veuillez contacter à temps.
Le VPO est plus que du siliciumCellule solaireTelles que la faible durabilité, c'est l'une des raisons de son retard dans l'utilisation pratique. Bien que des éléments tels que les rayons ultraviolets, l'eau et l'oxygène, dont la durabilité est réduite, puissent être traités, il n'existe pas de méthode de traitement efficace pour la résistance à la chaleur. La technologie mise au point cette fois a considérablement amélioré la résistance à la chaleur et pourrait devenir une étape importante pour accélérer l’utilisation pratique du VPO. Le pouvoir de conversion énergétique des composants prototypes de VPO peut atteindre 9,0%, ce qui est relativement élevé dans les exemples de production pilote de l'institut.
(a) Les résultats expérimentaux de la résistance à la chaleur de l'élément OPV développé cette fois. La polyligne rouge est un composant d'oxyde de tungstène (WOx) sélectionné pour HTL, le composant de MoOx est sélectionné pour HTL et la polyligne noire est le composant d'un matériau semi-conducteur de type p. (b) est un aperçu de la structure du composant.
La société a annoncé que cette technologie était le chercheur haut de gamme du groupe de développement des fonctions moléculaires de l’Institut des sciences et de la technologie de l’Institut de chimie physique du Japon. Pour améliorer la résistance à la chaleur, il est essentiel de choisir le matériau polymère "PTzNTz (thiophène et thiazolothiazole)" récemment mis au point comme matériau semi-conducteur de type p.
Owl et ses collaborateurs ont choisi ce matériau semi-conducteur de type PTzNTz et de type n, l'inducteur de fullerène, comme données de couche active, et ont prototypé le composant OPV. Pour évaluer la résistance à la chaleur, l'élément de VPO a été stocké dans de l'azote à 85 ° C pendant 500 heures.
Dans la même évaluation de la résistance thermique, le composant OPV des données d'origine du semi-conducteur de type p est réduit à environ 40% de la valeur initiale et, au bout de 500 heures, la puissance correspond à environ 90% de la valeur initiale, résistance à la chaleur. Grand progrès. De plus, les données de la couche de transport de trous (HTL) entre l'électrode positive et la couche active de l'élément OPV ont été changées d'oxyde de molybdène (MoOx) en oxyde de tungstène (WOx) et la même expérience a été réalisée. À 8,3%, il n’ya pratiquement pas de baisse.
Le composant OPV a une puissance de conversion d'énergie maximale de 9,0%, une tension de circuit ouvert (VOC) de 0,84 V, un courant de court-circuit (JSC) de 16,0 mA et un facteur de remplissage (FF) de 0,67.
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