Célula solar de película fina orgânica (OPV) com grande resistência ao calor
Internet
2019-04-29 11:13:14
O Instituto de Química Física do Japão anunciou em 24 de setembro de 2015 que anunciou uma célula solar de película fina orgânica (OPV) com uma melhora significativa na resistência ao calor. Artigos relacionados foram publicados na edição online de "ScientificReports" na revista acadêmica Nature.
OPV é mais que silícioCélula solarTal como a baixa durabilidade, esta é uma das razões para o atraso no uso prático. Embora elementos como raios ultravioletas, água e oxigênio, que tenham diminuído a durabilidade, possam ser processados por materiais de embalagem e similares, não há um bom método de tratamento para resistência ao calor. A tecnologia desenvolvida desta vez melhorou muito a resistência ao calor e pode se tornar um passo importante para acelerar o uso prático da OPV. O poder de conversão de energia dos componentes do protótipo de OPV é de até 9,0%, o que é relativamente alto nos exemplos de produção piloto do instituto.
(a) Os resultados experimentais da resistência ao calor do elemento OPV se desenvolveram desta vez. HTL poligonal vermelho é escolhido de óxido de tungsténio (de WOx) elementos do elemento de HTL poligonal azul seleccionado MoOx, preto é o material semicondutor do tipo p seleccionado elemento poligonal originais. (b) é um esboço da estrutura do componente.
A empresa anunciou a tecnologia é o pesquisador high-end do Grupo de Desenvolvimento da Função Molecular do Instituto de Ciência e Tecnologia do Instituto de Química Física do Japão. resistência ao calor é a chave para progredir como um material semicondutor do tipo p materiais poliméricos seleccionados recentemente desenvolvidos "PTzNTz (tiofeno e thiazolothiazole)".
Sakamoto et ai cauda PTzNTz escolher esse material semicondutor do tipo n, e - induzir fulereno entidade, tal como um material de camada activa, um elemento de teste OPV. Para avaliar a resistência ao calor, o elemento OPV foi armazenado em nitrogênio a 85 ° C por 500 horas.
A selecção inicial de material semicondutor do tipo p dos mesmos elementos OPV avaliação da resistência ao calor, energia dinâmica será reduzida para cerca de 40% do valor inicial, enquanto o depois de 500 horas, a alimentação é um valor de potência de cerca de 90% do calor inicial Grande progresso. Além disso, os dados irão ser uma camada de buraco-de transporte (HTL) entre o eléctrodo positivo e a camada activa do elemento de óxido de molibdénio OPV (de MoOx) substituído por óxido de tungsténio (de WOx), levada a cabo a mesma experiência, os resultados encontrados Alimentação Alimentação Em 8,3%, basicamente não há declínio.
OPV potência mais elevada conversão de energia desses elementos é 9,0%, tensão de circuito aberto (Voc) de 0.84V, uma corrente de curto circuito (JSC) foi 16.0mA, fator de preenchimento (FF) de 0,67.
Aviso: O conteúdo é parcialmente da internet. Para transmitir mais informações, isso não significa concordar com suas opiniões ou confirmar sua descrição. O conteúdo do artigo é apenas para referência. Se houver alguma infração, entre em contato no tempo.
OPV é mais que silícioCélula solarTal como a baixa durabilidade, esta é uma das razões para o atraso no uso prático. Embora elementos como raios ultravioletas, água e oxigênio, que tenham diminuído a durabilidade, possam ser processados por materiais de embalagem e similares, não há um bom método de tratamento para resistência ao calor. A tecnologia desenvolvida desta vez melhorou muito a resistência ao calor e pode se tornar um passo importante para acelerar o uso prático da OPV. O poder de conversão de energia dos componentes do protótipo de OPV é de até 9,0%, o que é relativamente alto nos exemplos de produção piloto do instituto.
(a) Os resultados experimentais da resistência ao calor do elemento OPV se desenvolveram desta vez. HTL poligonal vermelho é escolhido de óxido de tungsténio (de WOx) elementos do elemento de HTL poligonal azul seleccionado MoOx, preto é o material semicondutor do tipo p seleccionado elemento poligonal originais. (b) é um esboço da estrutura do componente.
A empresa anunciou a tecnologia é o pesquisador high-end do Grupo de Desenvolvimento da Função Molecular do Instituto de Ciência e Tecnologia do Instituto de Química Física do Japão. resistência ao calor é a chave para progredir como um material semicondutor do tipo p materiais poliméricos seleccionados recentemente desenvolvidos "PTzNTz (tiofeno e thiazolothiazole)".
Sakamoto et ai cauda PTzNTz escolher esse material semicondutor do tipo n, e - induzir fulereno entidade, tal como um material de camada activa, um elemento de teste OPV. Para avaliar a resistência ao calor, o elemento OPV foi armazenado em nitrogênio a 85 ° C por 500 horas.
A selecção inicial de material semicondutor do tipo p dos mesmos elementos OPV avaliação da resistência ao calor, energia dinâmica será reduzida para cerca de 40% do valor inicial, enquanto o depois de 500 horas, a alimentação é um valor de potência de cerca de 90% do calor inicial Grande progresso. Além disso, os dados irão ser uma camada de buraco-de transporte (HTL) entre o eléctrodo positivo e a camada activa do elemento de óxido de molibdénio OPV (de MoOx) substituído por óxido de tungsténio (de WOx), levada a cabo a mesma experiência, os resultados encontrados Alimentação Alimentação Em 8,3%, basicamente não há declínio.
OPV potência mais elevada conversão de energia desses elementos é 9,0%, tensão de circuito aberto (Voc) de 0.84V, uma corrente de curto circuito (JSC) foi 16.0mA, fator de preenchimento (FF) de 0,67.
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